场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。它是由三个电极组成的器件，包括栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain）。场效应管的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。

场效应管有三种类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、JFET（结型场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）。其中，MOSFET是最常用的一种类型。

MOSFET的工作原理是利用栅极电场的控制来改变漏极和源极之间的电流。当栅极施加正电压时，会形成一个电场，使得漏极和源极之间的导电区域变宽，从而增加电流。反之，当栅极施加负电压时，导电区域变窄，电流减小。这种通过电场调控电流的方式使得MOSFET具有高输入电阻和低输出电阻的特点。

总的来说，场效应管是一种重要的半导体器件，通过栅极电场的控制来实现电流的调节。它在电子设备中起着至关重要的作用，广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。

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